Microchip JANTX2N6385

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

供应商器件包装

TO-204AA (TO-3)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N6385

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-3

Package Description

TO-3, 2 PIN

Risk Rank

1.65

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/523

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/523B

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

DARLINGTON

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

6 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

最大集极截止电流

1mA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 100mA, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V