JANTX2N6989详情
Microchip JANTX2N6989重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
14-DIP (0.300, 7.62mm)
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-116
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
Transistor Polarity
Quad NPN
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
800mA
Base Product Number
2N6989
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
IN-LINE, R-GDIP-T14
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
JANTX2N6989
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
SEMICOA CORP
Risk Rank
4.49
Part Package Code
DIP
包装
Tube
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/559
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
14
参考标准
MIL-PRF-19500/559
JESD-30代码
R-GDIP-T14
资历状况
Qualified
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS
功率 - 最大
1.5W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
4 NPN (Quad)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
0.8 A
最小直流增益(hFE)
30
连续集电极电流
800
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
JANTX2N6989拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。