Microchip Jantx2N6989U

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

20-CLCC

引脚数

20

供应商器件包装

20-CLCC

终端数量

20

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N6989U

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

LCC

Package Description

CHIP CARRIER, S-XQCC-N20

Risk Rank

1.72

Number of Elements

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

SQUARE

Package Style

CHIP CARRIER

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/559

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

20

参考标准

MIL-19500/559

JESD-30代码

S-XQCC-N20

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

4 NPN (Quad)

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无