Microchip JANTXV1N4471DUS

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-220F-3

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

43W (Tc)

Product Status

Obsolete

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Base Product Number

1N4471

Impedance (Max) (Zzt)

11 Ohms

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

18 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV1N4471DUS

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.43

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Bulk

容差

±1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/406F

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 14.4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1.5 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

880 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

800 V

Vgs（最大值）

±30V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

18 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

1%

工作测试电流

14 mA

场效应管特性

-

产品类别

齐纳二极管