Microchip JANTXV1N4550RB

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

Package

Bulk

Base Product Number

SUP90

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Vishay Siliconix

Power Dissipation (Max)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Product Status

Obsolete

Impedance (Max) (Zzt)

0.16 Ohms

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TrenchFET®

容差

±5%

技术

MOSFET (Metal Oxide)

反向泄漏电流@ Vr

150 µA @ 500 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 10 A

功率 - 最大

50 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3mOhm @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5286 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

131 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

4.3 V

场效应管特性

-