Microchip JANTXV1N4960

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

E-Package-2

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Unit Weight

0.026455 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541100050

Package

Bulk

Base Product Number

1N4960

Impedance (Max) (Zzt)

2.5 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

12 V

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV1N4960

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.9

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-19500/356

容差

5 %

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

5 W

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/356H

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

2.5 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 9.1 V

功率耗散

5 W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

5 W

最大反向漏电电流

10 µA

测试电流

100 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

齐纳电压

12 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

工作测试电流

100 mA

电压允差

5 %

产品类别

齐纳二极管

长度

6.1 mm

直径

3.42 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅