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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥148.60933
10
¥140.197485
100
¥132.261776
500
¥124.775261
1000
¥117.712506
JANTXV1N6311US详情
Microchip JANTXV1N6311US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
表面安装
YES
供应商器件包装
B, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
1N6311
Impedance (Max) (Zzt)
29 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-XELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reference Voltage-Nom
3 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTXV1N6311US
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.27
Zz - Zener Impedance
29 Ohms
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Vz - Zener Voltage
3 V
Voltage Temperature Coefficient
- 0.075 %/C
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
容差
±5%
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/533F
JESD-30代码
O-XELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
30 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
测试电流
20 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
3 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
20 mA
电压允差
5 %
齐纳电流
141 mA
JANTXV1N6311US拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip Technology
Microchip Technology
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