JANTXV1N756C-1详情
Microchip JANTXV1N756C-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
20-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
表面安装
NO
供应商器件包装
20-TSSOP
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
DS1343
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
活跃
Unit Weight
0.005291 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Impedance (Max) (Zzt)
8 Ohms
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
8.2 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTXV1N756C-1
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Risk Rank
5.35
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
活跃
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
-
包装
Bulk
容差
±2%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
Clock/Calendar
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
电压 - 供电
2.7V ~ 5.5V
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/127
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
界面
SPI
内存大小
96B
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
8.2 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
2%
JEDEC-95代码
DO-35
工作测试电流
20 mA
时间格式
HH:MM:SS (12/24 hr)
日期格式
YY-MM-DD-dd
最大计时电流
-
电压 - 供电,电池
1.3V ~ 5.5V
特征
Alarm, Leap Year, NVRAM, Square Wave Output, Trickle Charger
产品类别
齐纳二极管
长度
5.08 mm
直径
2.29 mm
JANTXV1N756C-1拓展信息
Microchip Technology
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