Microchip JANTXV1N825-1

表面安装

NO

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

包装/外壳

DO-35-2

安装类型

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35 (DO-204AH)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANTXV1N825-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-7

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

1.8

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

6.2 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Schedule B

8541100050, 8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050, 8541100050/8541100050/8541100050/8541100050

RoHS

Non-Compliant

Unit Weight

0.005291 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Base Product Number

1N825

Impedance (Max) (Zzt)

15 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-

系列

Military, MIL-PRF-19500/159

容差

5 %

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/159M

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

阻抗

15 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 3 V

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

6.2 V

齐纳电压

6.2 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

产品类别

齐纳二极管

长度

4.44 mm

直径

2.03 mm

无铅

含铅