JANTXV1N975D-1详情
Microchip JANTXV1N975D-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
推销
包装/外壳
DO-35-2
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-35 (DO-204AH)
材料
Aluminium
形状
Fins, Rectangular
包装冷却
ASIC
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Compliant
Unit Weight
0.005291 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
Package
Bulk
Base Product Number
1N975
Impedance (Max) (Zzt)
80 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
39 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTXV1N975D-1
Power Dissipation (Max)
0.48 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.2
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/117
容差
±1%
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
500 nA @ 30 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
39 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
1%
JEDEC-95代码
DO-204AH
工作测试电流
3.2 mA
产品类别
齐纳二极管
宽度
40.005 mm
长度
54.0004 mm
直径
2.29 mm
JANTXV1N975D-1拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。