Microchip JANTXV2N2218

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2218

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

JANTXV2N2218

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

250 ns

Risk Rank

5.2

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/251

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/251L

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

35

集电极-发射器电压-最大值

30 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无