Microchip JANTXV2N2919U

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

3-SMD

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Base Product Number

2N2919

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6

Package Style

小概要

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N2919U

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.24

包装

Bulk

操作温度

200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/355

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

参考标准

MIL-19500/355J

JESD-30代码

R-XDSO-N6

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-78

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

150

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT