Microchip JANTXV2N3439UA

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

UA

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

JANTXV2N3439UA

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

5.05

Part Package Code

LCC

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/368

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-CDSO-N4

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

800 mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

450 V

最大耗散功率(Abs)

5 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

350 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无