参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
NO
包装/外壳
TO-18-3
底架
通孔
安装类型
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-18 (TO-206AA)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JANTXV2N3700
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
SEMICOA CORP
Part Package Code
BCY
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank
4.65
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Transistor Polarity
NPN
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
15
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Unit Weight
0.041226 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Brand
Microchip / Microsemi
Maximum DC Collector Current
1 A
DC Current Gain hFE Max
300
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Base Product Number
2N3700
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/391
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
500 mW
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/391
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
1
功率 - 最大
500 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
1 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
最大集极截止电流
10nA
JEDEC-95代码
TO-18
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
140 V
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
发射极基极电压 (VEBO)
7 V
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
15
连续集电极电流
1
集电极-发射器电压-最大值
80 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
辐射硬化
无
无铅
含铅