Microchip JANTXV2N3739

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Axial

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

Axial

Package

Bulk

Base Product Number

RWR82

厂商

Vishay Dale

Product Status

活跃

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-66

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

325(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-55C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Schedule B

8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

操作温度

-55°C ~ 250°C

系列

Military, MIL-PRF-39007, RWR82N

包装

Tray

尺寸/尺寸

0.078 Dia x 0.312 L (1.98mm x 7.92mm)

容差

±0.1%

终止次数

2

温度系数

±20ppm/°C

电阻

35.2 Ohms

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Wirewound

功率(瓦特)

1.5W

子类别

Transistors

最大功率耗散

20 W

技术

Si

引脚数量

2 +Tab

失败率

R (0.01%)

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

20(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

20 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 250mA, 10V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 25mA, 250mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

325 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

特征

Military, Moisture Resistant, Non-Inductive

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

-

辐射硬化

无