Microchip JANTXV2N5152

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTXV2N5152

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.25

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

1500 ns

Turn-on Time-Max (ton)

500 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N5152

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/544

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

11.8 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

80 V

VCEsat-最大值

1.5 V

集电极-基极电容-最大值

250 pF

环境耗散-最大值

1 W

产品类别

Bipolar Transistors - BJT