Microchip JANTXV2N5153U3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

U3

Manufacturer Part Number

JANTXV2N5153U3

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.35

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5.5 V

Pd - Power Dissipation

100 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

2 A

DC Current Gain hFE Max

200

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Schedule B

8541100080, 8541290080

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/545

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1 W

技术

Si

Reach合规守则

compliant

配置

Single

功率 - 最大

1.16 W

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

70

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无