Microchip Jantxv2N5416

表面安装

NO

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-5AA

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTXV2N5416

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Risk Rank

1.82

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Transistor Polarity

PNP

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-5

Collector-Base Voltage

350(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

DC Current Gain

30

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N5416

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

750 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30 at 50mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

DC Current Gain hFE Max

120 at 50 mA, 10 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

300 V

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

MIL-PRF-19500/485

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

10

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

750 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

350 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

300 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT