Microchip Jantxv2N6032

包装/外壳

TO-3-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

90 V

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

140 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

DC Current Gain hFE Max

50

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6032

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VPT组件

Risk Rank

5.76

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TA)

系列

Military, MIL-PRF-19500/528

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBFM-P2

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

140 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 50A, 2.6V

最大集极截止电流

25mA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-204AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

90 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

集电极电流-最大值(IC)

50 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

50 A

集电极-发射器电压-最大值

90 V