Microchip JANTXV2N6351

包装/外壳

TO-33-4

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-33

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

12 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

5

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

5 A

DC Current Gain hFE Max

10000

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

150 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6351

Turn-on Time-Max (ton)

500 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1200 ns

Risk Rank

1.74

Part Package Code

TO-33

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/472

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/472B

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-33

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 10mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

1000

连续集电极电流

5 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT