对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大rds | 辐射硬化 | RoHS状态 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTXV2N6901 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | NO | 3 | 3 | SILICON | 无 | Obsolete | MICROSEMI CORP | BCY | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 5.81 | 1.69 A | 1 | METAL | ROUND | CYLINDRICAL | Non-Compliant | 45 ns | JANTXV2N6901 | Bulk | EAR99 | 150 °C | -55 °C | 8541.21.00.95 | 8.33 W | BOTTOM | WIRE | compliant | 2 | MIL-19500/570B | O-MBCY-W3 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 25 ns | SWITCHING | 80 ns | 100 V | N-CHANNEL | 1.69 A | TO-205AF | 10 V | 1.4 Ω | 100 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.4 Ω | 无 | ||||||||||||||||||||
JANTXV2N6901 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-205AF Metal Can | 2 | SILICON | 5V | 1.69A Tc | 45 ns | 8.33W Tc | 1 | 2V @ 1mA | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1997 | Military, MIL-PRF-19500/570 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | BOTTOM | WIRE | MIL-19500/570B | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 25 ns | N-Channel | SWITCHING | 1.4 Ω @ 1.07A, 5V | 5nC @ 5V | 80ns | 100V | ±10V | 80 ns | 1.69A | 10V | 100V | 无 | Non-RoHS Compliant |



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