Microchip M15KP40CAE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

E-MELF

表面安装

NO

供应商器件包装

D-5B

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

Base Product Number

1N6631

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

44.4 V

Pd - Power Dissipation

6 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

228 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

15 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

M15KP40CAE3

Power Dissipation (Max)

1.56 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.43

系列

Military, MIL-PRF-19500/590

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

40 V

工作电压

40 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

4 µA @ 1100 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6 V @ 1.4 A

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

44.4V

功率 - 脉冲峰值

15000W (15kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

228A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

65.8V

箝位电压

65.8 V

电压 - 反向断态（典型值）

40V

工作温度 - 结点

-65°C ~ 150°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1100 V

平均整流电流（Io）

1.4A

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

40 V

JEDEC-95代码

DO-204AR

电容@Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

15000 W

击穿电压-最小值

44.4 V

反向恢复时间(trr)

60 ns

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes