Microchip M5KP15CAE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

包装/外壳

DO-204AR-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-204AR

材料

Aluminum Nitride

形状

Rectangular

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Base Product Number

QB0805

厂商

American Technical Ceramics

Product Status

活跃

Package

Tape & Reel (TR)

Supplier Package

Case 5A

Peak Pulse Power Dissipation

5000 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

Reverse Stand-off Voltage

15 V

RoHS

Compliant

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

R-PALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

M5KP15CAE3

Power Dissipation (Max)

1.56 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

17.6 V

Risk Rank

5.38

Usage Level

Military grade

系列

Q-Bridge

操作温度

-65 to 150 °C

包装

Bulk

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Thermal Bridge Jumper

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

颜色

-

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

R-PALF-W2

资历状况

不合格

极性

BIDIRECTIONAL

配置

Single

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

16.7V

功率 - 脉冲峰值

5000W (5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

206A

使用方法

Heat Transfer

最大反向漏电电流

10 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

24.4V

箝位电压

24.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

15V

峰值脉冲电流

206 A

峰值脉冲功率

5 kW

方向

双向

测试电流

5 mA

保质期

-

粘合剂

-

储存/恢复温度

-

产品类别

TVS 二极管

保质期开始

-

双向通道

1

支持，载体

-

Rep Pk反向电压-最大值

15 V

JEDEC-95代码

DO-204AR

电容@频率

-

筛选水平

Military

外形尺寸

2.03mm x 1.27mm

最大非代表峰值转速功率Dis

5000 W

ESD保护

有

导热性能

100W/m-K, 156W/m-K

击穿电压-最小值

16.7 V

双向通道数

1

最大箝位电压

24.4 V

击穿电压-最大值

18.5 V

最小击穿电压

16.7 V

热电阻率

7°C/W, 10°C/W

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

器件厚度

0.0402 (1.020mm)

无铅

无铅