Microchip MART100KP54CAE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-204AR-2

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

Case 5A (DO-204AR)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

Case 5A

Peak Pulse Power Dissipation

100000 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Reverse Stand-off Voltage

54 V

Package

Bulk

Base Product Number

MART100KP54

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 5A

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MART100KP54CAE3

Power Dissipation (Max)

1.61 W

Risk Rank

5.3

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Usage Level

Military grade

操作温度

-65 to 150 °C

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

极性

BIDIRECTIONAL

配置

Single

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

60V

功率 - 脉冲峰值

100000W (100kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

-

最大反向漏电电流

25 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

106V

箝位电压

106 V

电压 - 反向断态（典型值）

54V

峰值脉冲电流

943 A

峰值脉冲功率

100 kW

方向

双向

测试电流

5 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

54 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

100000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

60 V

双向通道数

1

击穿电压-最大值

66.3 V

最小击穿电压

60 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes