Microchip MASMBJ26CAE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AA, SMB

引脚数

2

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

MASMBJ26CAE3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-214AA

Package Description

R-PDSO-C2

Risk Rank

5.46

Breakdown Voltage-Nom

30.4 V

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Reflow Temperature-Max (s)

40

Reverse Stand-off Voltage

26 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

SMBJ26

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

28.9 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

14.2 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

工作电压

26 V

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

28.9V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

14.2A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

42.1V

箝位电压

42.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

26V

峰值脉冲电流

14.2 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

双向

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

26 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

28.9 V

双向通道数

1

最大箝位电压

42.1 V

击穿电压-最大值

31.9 V

最小击穿电压

28.9 V