Microchip MPLAD30KP120AE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Supplier Package

PLAD

Peak Pulse Power Dissipation

250 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

133 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ipp - Peak Pulse Current

156 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

30 kW

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MPLAD30KP120AE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

140 V

Risk Rank

5.58

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 150 °C

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

工作电压

120 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

133V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

156A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

193V

箝位电压

193 V

电压 - 反向断态（典型值）

120V

测试电流

5 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

120 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

133 V

最大箝位电压

193 V

击穿电压-最大值

147 V