参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
4-SMD, No Lead
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Package
Bulk
Base Product Number
PLAD6.5
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Reverse Stand-off Voltage
24 V
RoHS
Non-Compliant
Breakdown Voltage / V
26.7 V
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.077603 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
167 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
6.5 kW
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Package Description
S-PSSO-G1
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MPLAD6.5KP24CA
Power Dissipation (Max)
2.5 W
Package Shape
SQUARE
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.59
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SiT8208
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Zener
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
电压 - 供电
2.8V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
62.5MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
参考标准
AEC-Q101; MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
S-PSSO-G1
功能
Enable/Disable
基本谐振器
MEMS
最大电流源
33mA
工作电源电压
24 V
工作电压
24 V
极性
双向
电流 - 电源(禁用)(最大值)
31mA
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
CATHODE
电源线保护
无
电压 - 击穿
26.7V
功率 - 脉冲峰值
6500W (6.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
167A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
38.9V
箝位电压
38.9 V
电压 - 反向断态(典型值)
24V
峰值脉冲电流
167 A
峰值脉冲功率
6.5 kW
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
24 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
6500 W
绝对牵引范围 (APR)
--
击穿电压-最小值
26.7 V
双向通道数
1
击穿电压-最大值
29.5 V
最小击穿电压
26.7 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
座位高度(最大)
0.032 (0.80mm)
评级结果
--