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技术文档
型号
MRF5812G
品牌
Microchip
utmel 编号
1610-MRF5812G
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
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MRF5812G详情
技术参数
Microchip MRF5812G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
5000 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.31
Part Package Code
SOIC
JESD-609代码
e3
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
低噪音
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
1.25 W
集电极电流-最大值(IC)
0.2 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
15 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
2 pF
MRF5812G拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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