Microchip MSMLJ58AE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

HC-49/US

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-214AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Base Product Number

SMLJ58

Package Description

R-PDSO-J2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSMLJ58AE3

Power Dissipation (Max)

1.61 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.57

Part Package Code

DO-214AB

Breakdown Voltage / V

64.4 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

32 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

3 kW

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-10°C ~ 60°C

系列

SXTHM2

尺寸/尺寸

0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

兆赫晶体

端子表面处理

哑光锡

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

40 MHz

频率稳定性

±20ppm

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

ESR（等效串联电阻）

30 Ohms

工作电压

58 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

负载电容

18pF

二极管类型

跨压抑制二极管

操作模式

Fundamental

频率容差

±15ppm

电源线保护

无

电压 - 击穿

64.4V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

32A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

93.6V

箝位电压

93.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

58V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

58 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

击穿电压-最小值

64.4 V

击穿电压-最大值

71.2 V

座位高度(最大)

0.177 (4.50mm)