Microchip MV2N4856

表面安装

NO

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MV2N4856

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.63

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package

Bulk

Base Product Number

MV2N4856

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/385

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

JFET

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/385

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

360 mW

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

18pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-206AA

漏极-源极导通最大电阻

25 Ω

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

JUNCTION

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

175 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

10 V @ 500 pA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40 V

电阻-RDS(On)

25 Ohms

产品类别

JFET