Microchip MX2N5115

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

Manufacturer Part Number

MX2N5115

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.8

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Pd - Power Dissipation

0.5 W

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

- 60 mA

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

100 Ohms

Maximum Drain Gate Voltage

30 V

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

6 V

Id - Continuous Drain Current

-1 nA

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e4

类型

JFET

端子表面处理

镍镀金

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 15V

漏源电压 (Vdss)

30 V

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-18

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

15 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

6 V @ 1 nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

电阻-RDS(On)

100 Ohms

产品类别

JFET