Microchip MXPLAD30KP64CAE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

非标准 SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Package

Bulk

Base Product Number

PLAD30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

S-PSSO-G1

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXPLAD30KP64CAE3

Power Dissipation (Max)

2.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.45

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

1

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

71.1V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

294A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

103V

电压 - 反向断态（典型值）

64V

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

64 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

击穿电压-最小值

71.1 V

击穿电压-最大值

78.6 V