Microchip MXSMBG6.5CAE3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-215AA, SMB Gull Wing

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

材料

铝合金

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Mounting

2-56 tapped hole

Reverse Stand-off Voltage

6.5 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

SMBG6.5

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MXSMBG6.5CAE3

Power Dissipation (Max)

1.38 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Breakdown Voltage-Nom

7.6 V

Risk Rank

5.44

Part Package Code

DO-215AA

系列

48-5

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

Cold Wall

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

7.22V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

53.6A

最大反向漏电电流

500 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

11.2V

箝位电压

11.2 V

电压 - 反向断态（典型值）

6.5V

峰值脉冲电流

53.6 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

双向

测试电流

10 mA

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

6.5 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

设计

Shafted

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

完成

Gold Chem Film

击穿电压-最小值

7.22 V

双向通道数

1

最大箝位电压

11.2 V

击穿电压-最大值

7.98 V

个人资料

7.60 mm (.300 in) x 6.35 mm (.250 in)

最小击穿电压

7.22 V