Microchip SMBJ33CAE3/TR13

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-214AA, SMB

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

Package

Bulk

厂商

德州仪器

Product Status

活跃

Supplier Package

DO-214AA

Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Mounting

表面贴装

Base Product Number

SMBJ33

Breakdown Voltage / V

36.7 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.003527 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

RoHS

Details

Brand

Microchip Technology / Atmel

Manufacturer

Microchip

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

600 W

Ipp - Peak Pulse Current

11.3 A

Reverse Stand-off Voltage

33 V

Number of Elements

1

系列

*

操作温度

-65 to 150 °C

包装

MouseReel

终端

SMD/SMT

类型

Zener

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

最大功率耗散

600 W

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

工作电源电压

33 V

工作电压

33 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1 Channel

泄漏电流

1 µA

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

36.7V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

11.3A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.3V

箝位电压

53.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

33V

峰值脉冲电流

11.3 A

最大浪涌电流

11.3 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

双向

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

反向击穿电压

36.7 V

ESD保护

有

最小击穿电压

36.7 V

符合标准

符合RoHS标准

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

宽度

3.94 mm

高度

2.65 mm

长度

4.57 mm