SMBJ5935CE3/TR13详情
Microchip SMBJ5935CE3/TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
底架
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
SMBJ (DO-214AA)
Package
Strip
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Base Product Number
SMBJ5935
Impedance (Max) (Zzt)
23 Ohms
RoHS
Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
SiT1602B
包装
Tape & Reel
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
容差
±2%
类型
XO (Standard)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
2 W
电压 - 供电
2.25V ~ 3.63V
频率
26 MHz
频率稳定性
±25ppm
输出量
HCMOS, LVCMOS
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
MEMS
最大电流源
4.5mA
阻抗
23 Ω
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 20.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
扩频带宽
-
功率 - 最大
2 W
最大反向漏电电流
1 µA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
27 V
齐纳电压
27 V
产品类别
齐纳二极管
绝对牵引范围 (APR)
-
产品类别
齐纳二极管
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
辐射硬化
无
评级结果
-
SMBJ5935CE3/TR13拓展信息
Microchip Technology
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