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技术文档
型号
VN3205N3-GP013
品牌
Microchip
utmel 编号
1610-VN3205N3-GP013
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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VN3205N3-GP013详情
技术参数
Microchip VN3205N3-GP013重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bag
厂商
Radiall USA, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microchip Technology Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.07
Drain Current-Max (ID)
1.2 A
系列
*
附加功能
高输入阻抗
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-PBCY-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
漏极-源极导通最大电阻
0.3 Ω
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
VN3205N3-GP013拓展信息
公司资质
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