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技术文档
型号
WS512K32N-17H1M
品牌
Microchip
utmel 编号
1610-WS512K32N-17H1M
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
512K X 32 SRAM Module, 5V, 17NS, No Connect, 66 Pga 1.075 S
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WS512K32N-17H1M详情
技术参数
Microchip WS512K32N-17H1M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
66
Package Description
1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
Package Style
网格排列
Number of Words Code
512000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
PGA66,11X11
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
17 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
PGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
White Electronic Designs Corp
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
Risk Rank
5.55
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e4
端子表面处理
GOLD
附加功能
USER CONFIGURABLE AS 2M X 8
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
PERPENDICULAR
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-CPGA-P66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.66 mA
组织结构
512KX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.6 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.028 A
记忆密度
16777216 bit
筛选水平
MIL-STD-883
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SRAM MODULE
待机电压-最小值
2 V
备用内存宽度
16
宽度
27.3 mm
长度
WS512K32N-17H1M拓展信息
公司资质
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