Microchip Technology 1N2825B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AD

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-204AD (TO-3)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Vz - Zener Voltage

36 V

Pd - Power Dissipation

50 W

Zz - Zener Impedance

3.5 Ohms

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

10 uA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Voltage Temperature Coefficient

0.093 %/C

Unit Weight

0.529109 oz

Package

Bulk

Base Product Number

1N2825

Impedance (Max) (Zzt)

3.5 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

36 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N2825B

Power Dissipation (Max)

50 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.26

Part Package Code

TO-3

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

50 W

技术

ZENER

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

Single

阻抗

3.5 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 27.4 V

功率耗散

50 W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 10 A

箱体转运

ANODE

功率 - 最大

50 W

最大反向漏电电流

10 µA

测试电流

350 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

36 V

齐纳电压

36 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

TO-204AD

工作测试电流

350 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

1320 mA

辐射硬化

有