Microchip Technology 1N3070-1

包装/外壳

DO-7-2

安装类型

通孔

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-7

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Peak Reverse Voltage

175 V

If - Forward Current

100 mA

Ir - Reverse Current

0.1 uA

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Maximum Diode Capacitance

5 pF

Pd - Power Dissipation

500 mW

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

1N3070

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Operating Temperature (Min)

-65 °C

Operating Temperature (Max)

175 °C

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

1N3070-1

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Risk Rank

5.51

Part Package Code

DO-7

系列

-

ECCN 代码

EAR99

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.70

技术

Standard

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

接收电极

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 100 mA

箱体转运

ISOLATED

正向电流

100 A

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

最大浪涌电流

2 A

输出电流-最大值

0.1 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

175 V

平均整流电流（Io）

100mA

Rep Pk反向电压-最大值

175 V

JEDEC-95代码

DO-7

电容@Vr, F

-

最大非代表Pk前进电流

2 A

恢复时间

50 ns

反向恢复时间-最大值

0.05 µs

反向恢复时间(trr)

50 ns

产品

开关二极管

Vf-正向电压

1 V

达到SVHC

compliant