Microchip Technology 1N5186US

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

B, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Base Product Number

1N5186

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, 2 PIN

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5186US

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Forward Voltage-Max (VF)

1.5 V

Risk Rank

5.54

包装

Bulk

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

快速恢复

附加功能

HIGH RELIABILITY, HIGH SURGE CAPABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

技术

Standard

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

2 µA @ 100 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 9 A

箱体转运

ISOLATED

正向电流

3 A

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

3 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

100 V

平均整流电流（Io）

3A

最大反向电压（DC）

100 V

平均整流电流

3 A

相位的数量

1

反向恢复时间

150 ns

峰值反向电流

2 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

100 V

Rep Pk反向电压-最大值

100 V

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

80 A

最大非代表Pk前进电流

80 A

反向恢复时间-最大值

0.15 µs

反向恢复时间(trr)

150 ns

产品

Rectifiers

辐射硬化

有