Microchip Technology 1N5806USE3

包装/外壳

D-5A-2

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

D-5A

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

If - Forward Current

2.5 A

Ir - Reverse Current

1 uA

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.046385 oz

Package

Bulk

Base Product Number

1N5806

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

150 V

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N5806USE3

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Forward Voltage-Max (VF)

0.875 V

Risk Rank

5.15

包装

Bulk

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

快速恢复整流器

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

超快恢复

附加功能

高可靠性

HTS代码

8541.10.00.80

技术

Standard

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-LELF-R2

配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 150 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

975 mV @ 2.5 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

最大浪涌电流

35 A

输出电流-最大值

1 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

150 V

平均整流电流（Io）

1A

相位的数量

1

反向恢复时间

25

Rep Pk反向电压-最大值

150 V

电容@Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

最大非代表Pk前进电流

35 A

二极管配置

Single

恢复时间

25 ns

重复峰值反向电压

150

反向恢复时间-最大值

0.025 µs

反向恢复时间(trr)

25 ns

产品

Rectifiers

Vf-正向电压

975 mV