Microchip Technology 1N5918BUR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-213AB-2

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.001764 oz

Package

Bulk

Base Product Number

1N5918

Impedance (Max) (Zzt)

4 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

5.1 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5918BUR-1

Power Dissipation (Max)

1.25 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.15

Part Package Code

DO-213AB

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

1.25 W

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

4 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 2 V

功率耗散

1.25 W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1.25 W

最大反向漏电电流

5 µA

测试电流

73.5 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

5.1 V

齐纳电压

5.1 V

最大电压允差

20%

JEDEC-95代码

DO-213AB

工作测试电流

73.5 mA

电压允差

5 %

动态阻抗-最大值

4 Ω

辐射硬化

有