Microchip Technology 1N6118AE3

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

供应商器件包装

B, Axial

厂商

微芯片技术

Package

Bulk

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

31.4 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

10.9 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Bulk

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

额定电流

1 uA

终端样式

Axial

工作电压

25.1 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

31.4V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

10.9A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

45.7V

箝位电压

45.7 V

电压 - 反向断态（典型值）

25.1V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes