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'2n1131l'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

厂商

操作温度

包装

系列

最高工作温度

最小工作温度

子类别

功率 - 最大

产品类别

晶体管类型

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

集电极基极电压(VCBO)

产品类别

辐射硬化

2N1131L
2N1131L
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

3

TO-5AA

600 mA

活跃

Bulk

600 mW

微芯片技术

Non-Compliant

1

Microchip

微芯片技术

-65°C ~ 200°C (TJ)

Bulk

-

200 °C

-65 °C

Transistors

600 mW

BJTs - Bipolar Transistors

PNP

40 V

600 mA

20 @ 150mA, 10V

10mA

1.3V @ 15mA, 150mA

40 V

-

50 V

Bipolar Transistors - BJT

无