Microchip Technology 2N1486

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-8-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-8

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

55 V

Emitter- Base Voltage VEBO

12 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Maximum DC Collector Current

3 A

Pd - Power Dissipation

1.75 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

35

DC Current Gain hFE Max

100

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

1.661227 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Base Product Number

2N1486

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N1486

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.62

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1.75 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率 - 最大

1.75 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

55 V

最大集电极电流

3 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 750mA, 4V

最大集极截止电流

15µA

JEDEC-95代码

TO-8

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 40mA, 750A

电压 - 集射极击穿（最大值）

55 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

35

集电极-发射器电压-最大值

55 V

辐射硬化

无