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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3153.995176
10
¥2975.467149
100
¥2807.044481
500
¥2648.15517
1000
¥2498.259592
Microchip Technology 2N1725
- 收藏
- 对比
2N1725
1610-2N1725
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
大陆
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POWER BJT
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¥
总价: ¥
2N1725详情
Microchip Technology 2N1725重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-61
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
微芯片技术
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Transistor Polarity
NPN
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
200 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
10 MHz
Manufacturer Part Number
2N1725
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
API TECHNOLOGIES CORP
Risk Rank
5.5
系列
-
操作温度
175°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MUPM-D3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
3W
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
3 NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 2A, 15V
JEDEC-95代码
TO-61
增益
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
117 W
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
1 V
噪音数字(分贝类型@ f)
-
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N1725拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip






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