2N1725
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Microchip Technology 2N1725

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型号

2N1725

utmel 编号

1610-2N1725

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER BJT

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2N1725 Microchip Technology POWER BJT

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2N1725详情

Microchip Technology 2N1725重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Stud Mount

  • 包装/外壳

    TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-61

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    微芯片技术

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    5A

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    微芯片技术

  • Package Style

    POST/STUD MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    10 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N1725

  • Package Shape

    ROUND

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    API TECHNOLOGIES CORP

  • Risk Rank

    5.5

  • 系列

    -

  • 操作温度

    175°C (TJ)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    SOLDER LUG

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-MUPM-D3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    3W

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    3 NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    50 @ 2A, 15V

  • JEDEC-95代码

    TO-61

  • 增益

    -

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    80V

  • 频率转换

    -

  • 最大耗散功率(Abs)

    117 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    10 A

  • 最小直流增益(hFE)

    50

  • 集电极-发射器电压-最大值

    80 V

  • VCEsat-最大值

    1 V

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    -

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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2N1725拓展信息

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