Microchip Technology 2N2102S

包装/外壳

TO-5-3

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

65 V

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Maximum DC Collector Current

1 A

Pd - Power Dissipation

5 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Product Status

活跃

厂商

微芯片技术

Base Product Number

2N2102

Package

Bulk

Number of Elements

1

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N2102S

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.36

Part Package Code

TO-5

包装

Bulk

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

5 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

5 W

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

65 V

最大集电极电流

1 A

JEDEC-95代码

TO-5

集电极基极电压(VCBO)

120 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

65 V

辐射硬化

无