Microchip Technology 2N2895

包装/外壳

TO-18-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

65 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Pd - Power Dissipation

1.8 W

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

DC Current Gain hFE Max

120

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

120 MHz

Manufacturer Part Number

2N2895

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.21

包装

Bulk

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-206AA

集电极基极电压(VCBO)

120 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

1 A

集电极-发射器电压-最大值

65 V