Microchip Technology 2N2907Ae4

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Maximum DC Collector Current

600 mA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.016446 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N2907

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

175 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

2N2907AE4

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.54

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

Single

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

600

集电极-发射器电压-最大值

60 V